Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 1.3.11
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Малин, Т. В. |
| Опубликовано: | Новосибирск , 2025 |
| Физические характеристики: |
20 с.
|
| Язык: | Русский |