Исследование и моделирование AlGaN/GaN наногетероструктур для создания нормально-закрытых транзисторов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 2.2.2
Enregistré dans:
| Format: | |
|---|---|
| Auteur principal: | Чуканова, О. Б. |
| Publié: | Москва , 2024 |
| Description matérielle: |
22 с.
|
| Langue: | Русский |