Миграция электронов и дырок по точечным дефектам в компенсированных полупроводниках и элементах приборных структур на их основе: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Аникеев Илья Иванович
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Аникеев, И. И. |
Опубликовано: | Минск , 2024 |
Физические характеристики: |
21 с. : ил.
|
Язык: | Русский |
Предмет: | |
Е-документ: |
E-документ
|