Лавинные фотодиоды ближнего инфракрасного диапазона на основе гетероструктур Ge/Si с массивом наноотверстий в поглощающем слое: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 1.3.11 Физика полупроводников / Диб Хазем
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Диб Хазем |
| Опубликовано: | Томск , 2024 |
| Физические характеристики: |
26 с. : цв. ил., табл.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||