Пленки Mg2Si, выращенные на Si(111) методом сверхбыстрой реактивной эпитаксии: структура, электрофизические свойства, контактные явления, фотоотклик: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 1.3.11 Физика полупроводников / Чернев Игорь Михайлович
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Чернев, И. М. |
| Опубликовано: | Владивосток , 2024 |
| Физические характеристики: |
19 с., включая обложку : ил.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||