Обращенные гетероструктуры с донорно-акцепторным легированием и цифровыми барьерами для увеличения коэффициента усиления полевых транзисторов миллиметрового диапазона длин волн: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 2.2.2
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Терешкин, Е. В. |
| Опубликовано: | Фрязино , 2024 |
| Физические характеристики: |
23 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000003ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-br0001904346 | ||
| 005 | 20240314114505.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20240314d2024 |||||rus|50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Обращенные гетероструктуры с донорно-акцепторным легированием и цифровыми барьерами для увеличения коэффициента усиления полевых транзисторов миллиметрового диапазона длин волн $e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук $e специальность 2.2.2 |
| 210 | # | # | $a Фрязино $d 2024 |
| 215 | # | # | $a 23 с. |
| 320 | # | # | $a Библиография: с. 20—23 |
| 675 | # | # | $a 6 $v 4 |
| 700 | # | 1 | $a Терешкин $b Е. В. $g Евгений Валентинович |
| 801 | # | 0 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20240314 $g RCR |