Обращенные гетероструктуры с донорно-акцепторным легированием и цифровыми барьерами для увеличения коэффициента усиления полевых транзисторов миллиметрового диапазона длин волн: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 2.2.2
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Терешкин, Е. В. |
| Опубликовано: | Фрязино , 2024 |
| Физические характеристики: |
23 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||