Моделирование процессов деградации, вызываемых горячими носителями, в современных кремниевых транзисторах: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук: специальность 1.3.11 Физика полупроводников / Тягинов Станислав Эдуардович
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Тягинов, С. Э. |
Опубликовано: | Санкт-Петербург , 2022 |
Физические характеристики: |
38 с. : цв. ил.
|
Язык: | Русский |
Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|