|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001803612 |
| 005 |
20230106072230.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20221121d2022 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Моделирование процессов деградации, вызываемых горячими носителями, в современных кремниевых транзисторах
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
$e специальность 1.3.11 Физика полупроводников
$f Тягинов Станислав Эдуардович
$g [Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе]
|
| 210 |
# |
# |
$a Санкт-Петербург
$d 2022
|
| 215 |
# |
# |
$a 38 с.
$c цв. ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 31—38
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4022160
$a КРЕМНИЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24309
$a ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar71890
$a НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2134578
$a ГОРЯЧИЕ ЭЛЕКТРОНЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar8709
$a ДЕГРАДАЦИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar35953
$a ФИЗИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.03.77
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.03.05
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.01.77
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 1.3.11
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-700004
$a Тягинов
$b С. Э.
$g Станислав Эдуардович
$c кандидат физико-математических наук
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20221121
$g RCR
|
