Физико-химические свойства и электронная структура поверхности трехмерных топологических изоляторов на основе халькогенидов и халькогалогенидов висмута и сурьмы: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 1.3.11 Физика полупроводников / Голяшов Владимир Андреевич
Enregistré dans:
| Format: | |
|---|---|
| Auteur principal: | Голяшов, В. А. |
| Publié: | Новосибирск , 2022 |
| Description matérielle: |
22 с. : цв. ил.
|
| Langue: | Русский |
| Sujets: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Disponible Réserver | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||