Физико-химические свойства и электронная структура поверхности трехмерных топологических изоляторов на основе халькогенидов и халькогалогенидов висмута и сурьмы: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 1.3.11 Физика полупроводников / Голяшов Владимир Андреевич
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Голяшов, В. А. |
Опубликовано: | Новосибирск , 2022 |
Физические характеристики: |
22 с. : цв. ил.
|
Язык: | Русский |
Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|