Физико-химические свойства и электронная структура поверхности трехмерных топологических изоляторов на основе халькогенидов и халькогалогенидов висмута и сурьмы: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 1.3.11 Физика полупроводников / Голяшов Владимир Андреевич
Gespeichert in:
| Format: | |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Голяшов, В. А. |
| Veröffentlicht: | Новосибирск , 2022 |
| Beschreibung: |
22 с. : цв. ил.
|
| Sprache: | Русский |
| Schlagworte: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Verfügbar Bestellen | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||