Разработка и исследование микросхем высокоэффективных усилителей мощности на базе HEMT GaN-транзисторов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Мьо Мин Тхант

Gespeichert in:
Шифр документа: 2//245024(039),
Format: Авторефераты диссертаций
1. Verfasser: Мьо Мин Тхант
Veröffentlicht: Москва , 2022
Beschreibung: 26 с. : ил., табл.
Sprache: Русский
Schlagworte:

ОФХ отдела книгохранения

Всего : 1 , доступно: 1 Verfügbar  Bestellen

Информация об экземплярах

Шифр Фонд Место нахождения Статус экземпляра Читальный зал
2//245024(039) ОФХ отдела книгохранения (039) 11:4:3:95 СВОБОДЕН Рекомендованный ЧитЗал