|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001755539 |
| 005 |
20220624140616.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20220316d2022 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Разработка и исследование микросхем высокоэффективных усилителей мощности на базе HEMT GaN-транзисторов
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
$e специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах
$f Мьо Мин Тхант
$g [Нациоанльный исследовательский университет "МИЭТ"]
|
| 210 |
# |
# |
$a Москва
$d 2022
|
| 215 |
# |
# |
$a 26 с.
$c ил., табл.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 25—26 (11 назв.)
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar85425
$a УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24309
$a ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24604
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar25811
$a ПРОЕКТИРОВАНИЕ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.41.33
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.33.31
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.14.07
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 05.27.01
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
0 |
$3 BY-SEK-ar14194772
$a Мьо Мин Тхант
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20220316
$g RCR
|
