|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001727538 |
| 005 |
20211213183811.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20211027d2021 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Формирование и исследование свойств эпитаксиальных структур GaN/Si(111)
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 01.04 10 Физика полупроводников
$f Шубина Ксения Юрьевна
$g [Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет им. Ж. И. Алфёрова Российской академии наук]
|
| 210 |
# |
# |
$a Санкт-Петербург
$d 2021
|
| 215 |
# |
# |
$a 22 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 19—22
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar8902405
$a ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24113
$a ПОДЛОЖКИ (электроника)
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar15210
$a КРИСТАЛЛОГРАФИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar34342
$a ТРАВЛЕНИЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2282245
$a МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar5299408
$a ПОЛЯРНОСТЬ (физ.)
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar79169
$a ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ МЕТОДЫ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.19
$v 6
$2 rugasnti
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar14096630
$a Шубина
$b К. Ю.
$g Ксения Юрьевна
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20211027
$g RCR
|
