Формирование и исследование свойств эпитаксиальных структур GaN/Si(111): автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04 10 Физика полупроводников / Шубина Ксения Юрьевна
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Шубина, К. Ю. |
| Опубликовано: | Санкт-Петербург , 2021 |
| Физические характеристики: |
22 с. : ил.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||