High-power semiconductor devices / [guest editors: I. A. Lesk, James McCall, T. C. New]
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Опубликовано: | [S. l. : s. n. , 1970] |
| Физические характеристики: |
С. 645―818 : іл. ; 29 см
|
| Язык: | Английский |
| Серия: |
IEEE transactions on electron devices
vol. 17, № 9 |
1970, Vol.17,№9: High-power semiconductor devices
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||