Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Милахин Денис Сергеевич
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Милахин, Д. С. |
Опубликовано: | Новосибирск , 2021 |
Физические характеристики: |
32 с. : ил., табл.
|
Язык: | Русский |
Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|