Метаморфные гетероструктуры InSb/InAs/In(Ga,Al)As на подложках GaAs для оптоэлектроники среднего инфракрасного диапазона 2,0―4,5 мкм: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Чернов Михаил Юрьевич
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Чернов, М. Ю. |
| Опубликовано: | Санкт-Петербург , 2021 |
| Физические характеристики: |
22 с. : ил., цв. ил.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||