Исследование свойств полупроводниковых гетероструктур на основе соединений GaP(As,N) на подложках Si и GaP: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Лазаренко Александра Анатольевна
Guardado en:
| Formato: | |
|---|---|
| Autor principal: | Лазаренко, А. А. |
| Publicado: | Санкт-Петербург , 2020 |
| Descripción Física: |
16 с., включая обложку : ил.
|
| Lenguaje: | Русский |
| Materias: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Disponible Hacer reserva | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||