Резистивное переключение в структурах металл-изолятор-металл на основе оксида гафния и оксида тантала, формируемых атомно-слоевым осаждением: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.04 Физическая электроника / Егоров Константин Викторович
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Егоров, К. В. |
| Опубликовано: | Долгопрудный , 2019 |
| Физические характеристики: |
22 с. : ил.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||