Исследование омических контактов HEMT транзисторов на основе GaN: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 01.04.04 Физическая электроника / Сим Павел Евгеньевич
Захавана ў:
| Тып дакумента: | |
|---|---|
| Аўтар: | Сим, П. Е. |
| Апублікавана: | Томск , 2018 |
| Фізіч. характарыстыкі: |
17 с. : ил.
|
| Мова: | Руская |
| Прадмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Усяго : 1 , даступна: 1 | Даступна Замовіць | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||