Исследование омических контактов HEMT транзисторов на основе GaN: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 01.04.04 Физическая электроника / Сим Павел Евгеньевич
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Сим, П. Е. |
Опубликовано: | Томск , 2018 |
Физические характеристики: |
17 с. : ил.
|
Язык: | Русский |
Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|