Исследование омических контактов HEMT транзисторов на основе GaN: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 01.04.04 Физическая электроника / Сим Павел Евгеньевич
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Сим, П. Е. |
| Опубликовано: | Томск , 2018 |
| Физические характеристики: |
17 с. : ил.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||