|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001529185 |
| 005 |
20190529190228.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20190208d2018 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Исследование омических контактов HEMT транзисторов на основе GaN
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
$e специальность 01.04.04 Физическая электроника
$f Сим Павел Евгеньевич
$g [Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники (ТУСУР), Национальный исследовательский Томский государственный университет, Научно-производственная фирма "Микран"]
|
| 210 |
# |
# |
$a Томск
$d 2018
|
| 215 |
# |
# |
$a 17 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 15—17
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24309
$a ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4284565
$a ТРАНЗИСТОРЫ С ВЫСОКОЙ ПОДВИЖНОСТЬЮ ЭЛЕКТРОНОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar7368
$a ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar7329625
$a ОМИЧЕСКИЕ КОНТАКТЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar33870
$a ТЕХНОЛОГИЯ ПРОИЗВОДСТВА
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.33
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.13.11
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.04
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar13445798
$a Сим
$b П. Е.
$g Павел Евгеньевич
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20190208
$g RCR
|
