Тензостимулированные явления в компенсированном кремнии и в поверхностно-барьерных диодных структурах на его основе: автореферат диссертации доктора (DSc) физико-математических наук: специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Турсунов Икромжон Гуламжонович
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Турсунов, И. Г. |
| Опубликовано: | Андижан , 2018 |
| Физические характеристики: |
58 с. : ил.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||