|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001488200 |
| 005 |
20181009165438.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20180827d2018 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a y m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Определение профиля концентрации основных носителей заряда в светоизлучающих и HEMT структурах с резко неоднородным легированием
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 01.04.10 Физика полупроводников
$f Яковлев Георгий Евгеньевич
$g [Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ"]
|
| 210 |
# |
# |
$a Санкт-Петербург
$d 2018
|
| 215 |
# |
# |
$a 18 с.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 16—18
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24588
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar5000684
$a ПРЯМОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658634
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar71890
$a НОСИТЕЛИ ЗАРЯДА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1967321
$a ВОЛЬТ-ФАРАДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar38189
$a ШОТТКИ БАРЬЕРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar15827
$a ЛЕГИРОВАНИЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar88186
$a ГРАНИЦЫ РАЗДЕЛА
$2 DVNLB
|
| 610 |
0 |
# |
$a концентрация заряда
|
| 610 |
0 |
# |
$a канцэнтрацыя зарада
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.35.47
$v 6
$2 rugasnti
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar13317281
$a Яковлев
$b Г. Е.
$g Георгий Евгеньевич
$c кандидат физико-математических наук
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20180827
$g psbo
|
