Определение профиля концентрации основных носителей заряда в светоизлучающих и HEMT структурах с резко неоднородным легированием: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Яковлев Георгий Евгеньевич
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Яковлев, Г. Е. |
| Опубликовано: | Санкт-Петербург , 2018 |
| Физические характеристики: |
18 с.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||