Ионно-лучевой метод введения примесей в полупроводниковой технологии / составители: Пинес Г. Э., Рокицкая Я. П.

Сохранено в:
Шифр документа: 102212-17,
Вид документа: Периодические издания
Опубликовано: Москва : Электроника , 1970
Физические характеристики: 51, [1] с. ; 20 см
Язык: Русский
Серия: Тематические указатели литературы вып. 2а (134)
00000cam2a22000003is4500
001 BY-NLB-br0001432848
005 20171130194636.0
100 # # $a 20171130d1970 |||y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a SU 
105 # # $a y ||||000yy 
200 1 # $a Ионно-лучевой метод введения примесей в полупроводниковой технологии  $f составители: Пинес Г. Э., Рокицкая Я. П.  $g [редактор Соркина А. Б.] 
210 # # $a Москва  $c Электроника  $d 1970 
215 # # $a 51, [1] с.  $d 20 см 
225 1 # $a Тематические указатели литературы  $i Серия: Технология и организация производства  $f Министерство электронной промышленности СССР  $v вып. 2а (134) 
320 # # $a Библиография: с. 50―51 (41 назв.) 
461 # 1 $1 001BY-NLB-br0000319434  $1 2001   $v Вып. 2а 
702 # 1 $a Пинес  $b Г. Э.  $4 220 
702 # 1 $a Рокицкая  $b Я. П.  $4 220 
702 # 1 $a Соркина  $b А. Б.  $4 340 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20171124  $g psbo