Частотные и шумовые параметры наногетероструктурных полевых транзисторов на основе AlGaN / GaN с разной толщиной барьерного слоя: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Михайлович Сергей Викторович
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Михайлович, С. В. |
| Опубликовано: | Москва , 2016 |
| Физические характеристики: |
24 с. : табл., ил.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||