|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0001314036 |
| 005 |
20220524085749.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20160901d2016 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Гетероструктуры для светодиодов видимого диапазона и транзисторов с высокой подвижность электронов на основе квантоворазмерных слоев InGaN, InAlN и короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 01.04.10 Физика полупроводников
$f Усов Сергей Олегович
$g [Физико-технологичекий центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН]
|
| 210 |
# |
# |
$a Санкт-Петербург
$d 2016
|
| 215 |
# |
# |
$a 22 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 19—22
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar58871
$a СВЕТОДИОДЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar34408
$a ТРАНЗИСТОРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar17342
$a ЭЛЕКТРОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658634
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3275927
$a ГАЗОФАЗНАЯ ЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1800903
$a СТРУКТУРА МАТЕРИАЛОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar21821
$a ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar38854
$a ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.33
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar11065934
$a Усов
$b С. О.
$g Сергей Олегович
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20160901
$g RCR
|
