Гетероструктуры для светодиодов видимого диапазона и транзисторов с высокой подвижность электронов на основе квантоворазмерных слоев InGaN, InAlN и короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Усов Сергей Олегович
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Усов, С. О. |
| Опубликовано: | Санкт-Петербург , 2016 |
| Физические характеристики: |
22 с. : ил.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||