|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
001 |
BY-NLB-br0001215311 |
005 |
20150903154736.0 |
100 |
# |
# |
$a 20150820d2015 k y0rusy50 ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a RU
|
105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
200 |
1 |
# |
$a Физические процессы при ионно-лучевом синтезе структур на основе кремния
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
$e специальность 01.04.10 Физика полупроводников
$f Тысченко Ида Евгеньевна
$g [Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН]
|
210 |
# |
# |
$a Новосибирск
$d 2015
|
215 |
# |
# |
$a 40 с.
$c ил.
|
320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 33—40
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar5236579
$a ИОННО-ЛУЧЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2361762
$a ЗАРОЖДЕНИЕ НОВОЙ ФАЗЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar28578
$a РОСТ КРИСТАЛЛОВ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3341921
$a МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar12158
$a ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ
$2 DVNLB
|
686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
$v 6
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.22
$2 rugasnti
$v 6
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.16
$2 rugasnti
$v 6
|
700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar9361965
$a Тысченко
$b И. Е.
$g Ида Евгеньевна
$c кандидат физико-математических наук
|
801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20150820
$g psbo
|