Исследование полупроводниковых наноструктур на основе систем InGaAs/GaAs, InAs/InGaAs/GaAs и микроструктур на основе соединения Ge2Sb2Te5 методом спектроскопии низкочастотного шума: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Ермачихин Александр Валерьевич

Сохранено в:
Шифр документа: 2//183416(039),
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Ермачихин, А. В.
Опубликовано: Рязань , 2014
Физические характеристики: 16 с. : ил.
Язык: Русский
Предмет:

ОФХ отдела книгохранения

Всего : 1 , доступно: 1 Доступно  Заказать

Информация об экземплярах

Шифр Фонд Место нахождения Статус экземпляра Читальный зал
2//183416(039) ОФХ отдела книгохранения (039) 11:4:3:92 СВОБОДЕН Рекомендованный ЧитЗал