Особенности образования и отжига радиационных дефектов в n-GaN(Si) и p-GaN(Mg) при воздействии различного вида излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.07 Физика конденсированного состояния / Ермаков Виктор Сергеевич

Сохранено в:
Шифр документа: 2//182448(039),
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Ермаков, В. С.
Опубликовано: Москва , 2014
Физические характеристики: 24 с. : ил.
Язык: Русский
Предмет:
00000cam0a2200000 ia4500
001 BY-NLB-br0001148146
005 20141202104553.0
100 # # $a 20141112d2014 k y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
105 # # $a a m 000yy 
109 # # $a ac  $a aa 
200 1 # $a Особенности образования и отжига радиационных дефектов в n-GaN(Si) и p-GaN(Mg) при воздействии различного вида излучения  $e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук  $e специальность 01.04.07 Физика конденсированного состояния  $f Ермаков Виктор Сергеевич  $g [Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л. Я. Карпова] 
210 # # $a Москва  $d 2014 
215 # # $a 24 с.  $c ил. 
320 # # $a Библиография: с. 22—24 
606 0 # $3 BY-NLB-ar3130678  $a ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННЫХ СРЕД  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar1659663  $a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛЕНКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar39620  $a ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ ПЛЕНКИ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar3251604  $a НИТРИД ГАЛЛИЯ   $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar26837  $a ИОНИЗИРУЮЩИЕ ИЗЛУЧЕНИЯ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar82972  $a ЯДЕРНОЕ ЛЕГИРОВАНИЕ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar26909  $a РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ  $2 DVNLB 
606 0 # $3 BY-NLB-ar33558  $a ТЕРМИЧЕСКАЯ ОБРАБОТКА  $2 DVNLB 
686 # # $a 29.19.03  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 29.19.31  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 29.19.25  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 29.19.11  $2 rugasnti  $v 6 
686 # # $a 01.04.07  $2 oksvnk 
700 # 1 $3 BY-SEK-ar8182421  $a Ермаков  $b В. С.  $g Виктор Сергеевич 
801 # 0 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20141112  $g psbo