Особенности образования и отжига радиационных дефектов в n-GaN(Si) и p-GaN(Mg) при воздействии различного вида излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.07 Физика конденсированного состояния / Ермаков Виктор Сергеевич
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Ермаков, В. С. |
| Опубликовано: | Москва , 2014 |
| Физические характеристики: |
24 с. : ил.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||