|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
001 |
BY-NLB-br0001052748 |
005 |
20140524110432.0 |
100 |
# |
# |
$a 20140407d2013 k y0rusy50 ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a RU
|
105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
200 |
1 |
# |
$a Закономерности осаждения слоев диоксида титана из газовой фазы, содержащий тетраизопропилат титана
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
$e специальность 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники
$f Барышникова Марина Владимировна
$g [Санкт-Петербургский государственный политехнический университет]
|
210 |
# |
# |
$a Санкт-Петербург
$d 2013
|
215 |
# |
# |
$a 17 с.
$c ил.
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar18374
$a МИКРОЭЛЕКТРОННАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar57424
$a ДИОКСИД ТИТАНА
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2493283
$a ХИМИЧЕСКОЕ ОСАЖДЕНИЕ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar35865
$a ФИЗИКО-ХИМИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar30592
$a СЛОИСТЫЕ МАТЕРИАЛЫ
$2 DVNLB
|
606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4914454
$a ТОНКОПЛЕНОЧНЫЕ ПОКРЫТИЯ
$2 DVNLB
|
686 |
# |
# |
$a 05.27.06
$2 oksvnk
|
686 |
# |
# |
$a 47.09
$2 rugasnti
$v 6
|
686 |
# |
# |
$a 29.19.16
$2 rugasnti
$v 6
|
686 |
# |
# |
$a 47.13.11
$2 rugasnti
$v 6
|
700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar7345768
$a Барышникова
$b М. В.
$g Марина Владимировна
|
801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20140407
$g psbo
|