Получение лазерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs с несколькими p-n-переходами методом МОС-гидридной эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук: специальность 05.27.06 Технология и оборудование для производства полупроводников, материалов и приборов электронной техники / Багаев Тимур Анатольевич
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Багаев, Т. А. |
| Опубликовано: | Москва , 2013 |
| Физические характеристики: |
22 с. : ил.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||