Малошумящий полевой транзистор на основе гетероструктуры (Al, In)GaAs/GaAs: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: специальность 05.27.01 Твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника, приборы на квантовых эффектах / Козловский Эдуард Юрьевич
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Козловский, Э. Ю. |
| Опубликовано: | Санкт-Петербург , 2013 |
| Физические характеристики: |
18 с. : ил.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||