|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0000954598 |
| 005 |
20130723144336.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20130611d2013 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальность 01.04.10 Физика полупроводников
$f Барановский Максим Владимирович
$g [Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет им. В. И. Ульянова (Ленина)]
|
| 210 |
# |
# |
$a Санкт-Петербург
$d 2013
|
| 215 |
# |
# |
$a 17 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 16—17 (15 назв.)
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2390800
$a КВАНТОВЫЕ ЯМЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3125003
$a КВАНТОВЫЕ РАЗМЕРНЫЕ ЭФФЕКТЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1658634
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4314591
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НАНОСТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1967321
$a ВОЛЬТ-ФАРАДНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar1932605
$a ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar20472
$a НЕРАЗРУШАЮЩИЙ КОНТРОЛЬ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.22
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 59.45.33
$2 rugasnti
$v 6
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar6278910
$a Барановский
$b М. В.
$g Максим Владимирович
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20130611
$g psbo
|
