Исследование электрических и фотоэлектрических свойств гетероструктур InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и разработка неразрушающего метода контроля их качества: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Барановский Максим Владимирович
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Барановский, М. В. |
| Опубликовано: | Санкт-Петербург , 2013 |
| Физические характеристики: |
17 с. : ил.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||