|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0000943852 |
| 005 |
20130725145106.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20130507d2013 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и α-C:H облучением ионами PFn средних энергий
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e специальности 01.04.04Физическая электроника, 01.04.10 Физика полупроводников
$f Карабешкин Константин Валерьевич
$g [Санкт-Петербургский государственный политехнический университет]
|
| 210 |
# |
# |
$a Санкт-Петербург
$d 2013
|
| 215 |
# |
# |
$a 18 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 17—18
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2749267
$a ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar15096
$a КРЕМНИЙ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3251604
$a НИТРИД ГАЛЛИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3211955
$a АЛМАЗОПОДОБНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar34161
$a ТОНКИЕ ПЛЕНКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-SEK-ar1638614
$a МОДИФИЦИРОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТЕЙ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar4631320
$a ИОННАЯ БОМБАРДИРОВКА ПОВЕРХНОСТИ ТВЕРДЫХ ТЕЛ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar26909
$a РАДИАЦИОННЫЕ ДЕФЕКТЫ
$2 DVNLB
|
| 610 |
0 |
# |
$a молекулярные ионы
|
| 610 |
0 |
# |
$a малекулярныя іоны
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.21
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.11
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.16
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.04
$2 oksvnk
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-ar6140396
$a Карабешкин
$b К. В.
$g Константин Валерьевич
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20130507
$g psbo
|
