Модификация приповерхностных слоев Si, GaN и α-C:H облучением ионами PFn средних энергий: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальности 01.04.04Физическая электроника, 01.04.10 Физика полупроводников / Карабешкин Константин Валерьевич
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Карабешкин, К. В. |
| Опубликовано: | Санкт-Петербург , 2013 |
| Физические характеристики: |
18 с. : ил.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||