Реактивный импеданс кремниевых p+-n-диодов, обусловленный радиационными дефектами кристаллической структуры: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: специальность 01.04.10 Физика полупроводников / Шпаковский Сергей Васильевич
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Шпаковский, С. В. |
Опубликовано: | Минск , 2012 |
Физические характеристики: |
124, [4] л.
|
Язык: | Русский |
Предмет: | |
Е-документ: |
E-документ
|
Зал диссертаций
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Без заказа | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|