|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0000790454 |
| 005 |
20120612120209.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20120502d1991 k y0rusy50 ba
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a z 100yy
|
| 109 |
# |
# |
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a III Всесоюзная конференция "Ионно-лучевая модификация полупроводников и других материалов микроэлектроники", Новосибирск, 4―6 июня 1991 г.
$e (программа и тезисы докладов)
|
| 210 |
# |
# |
$a [Новосибирск]
$c СО АН СССР
$d 1991
|
| 215 |
# |
# |
$a 149 с.
$c ил.
$d 20 см
|
| 300 |
# |
# |
$a В надзаголовке: Научный совет АН СССР по проблеме "Физика и химия полупроводников", Сибирское отделение АН СССР, Институт физики полупроводников СО АН СССР
|
| 345 |
# |
# |
$9 180 экз.
|
| 512 |
1 |
# |
$a Ионно-лучевая модификация полупроводников и других материалов микроэлектроники
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar17342
$a ЭЛЕКТРОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24588
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-SEK-ar1638614
$a МОДИФИЦИРОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТЕЙ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar12162
$a ИОННО-ЛУЧЕВАЯ ОБРАБОТКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar12158
$a ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ
$2 DVNLB
|
| 608 |
# |
# |
$3 BY-NLB-ar4662057
$a МАТЕРИАЛЫ КОНФЕРЕНЦИИ, СЪЕЗДА, СИМПОЗИУМА
$2 BYGNR
|
| 675 |
# |
# |
$a 621.38-03:621.793.18(06)
$v 4
$z rus
|
| 675 |
# |
# |
$a 621.315.592:621.793.18(06)
$v 4
$z rus
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.13.33
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.01.13
$2 rugasnti
$v 6
|
| 710 |
1 |
0 |
$3 BY-NLB-ar5223958
$a "Ионно-лучевая модификация полупроводников и других материалов микроэлектроники"
$g всесоюзная конференция
$d 3
$f 1991
$e Новосибирск
|
| 712 |
0 |
2 |
$a Академия наук СССР
$b Научный совет по проблеме "Физика и химия полупроводников"
$4 557
|
| 712 |
0 |
2 |
$3 BY-SEK-988313
$a Институт физики полупроводников
$c Новосибирск
$4 557
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20120502
$g psbo
|
