|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0000699603 |
| 005 |
20111013152841.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20110927d2011 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Научные основы и практические аспекты разработки технологии создания тонких полупроводниковых слоев кремния на изолирующих подложках применением процессов ионной обработки
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук
$e 05.27.06
$f Мустафаев Арслан Гасанович
$g [Дагестанский государственный технический университет]
|
| 210 |
# |
# |
$a Новочеркасск
$d 2011
|
| 215 |
# |
# |
$a 31, [1] с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 27—32 (67 назв.)
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar83377
$a КРЕМНИЙ НА ИЗОЛЯТОРЕ-ТЕХНОЛОГИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2685016
$a КРЕМНИЕВЫЕ ПОДЛОЖКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar26837
$a ИОНИЗИРУЮЩИЕ ИЗЛУЧЕНИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24588
$a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar11906
$a ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 05.27.06
$2 oksvnk
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.29
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.13.11
$2 rugasnti
$v 6
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.33.31
$2 rugasnti
$v 6
|
| 700 |
# |
1 |
$3 BY-SEK-552020
$a Мустафаев
$b А. Г.
$g Арслан Гасанович
$c кандидат технических наук
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20110927
$g psbo
|
