|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0000450512 |
| 005 |
20221222093248.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20100205d2009 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Свойства многослойных затворных структур МОП нанотранзисторов, на основе силицидов и диэлектриков с высоким є, полученных методами магнетронного распыления и электронно-лучевого испарения
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e 05.27.01
$f Рогожин Александр Евгеньевич
$g [Физико-технологический институт Российской академии наук]
|
| 210 |
# |
# |
$a Москва
$d 2009
|
| 215 |
# |
# |
$a 24 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 22—24
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar45117
$a НАНОЭЛЕКТРОНИКА
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3353255
$a МДП-ТРАНЗИСТОРЫ ИС
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar55300
$a МДП-СТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar64055
$a МОП-СТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar3170564
$a МНОГОСЛОЙНЫЕ СТРУКТУРЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar30000
$a СИЛИЦИДЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar9575
$a ДИЭЛЕКТРИКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar2643528
$a МАГНЕТРОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar14373457
$a ЗАТВОРЫ (электроника)
$2 DVNLB
|
| 610 |
0 |
# |
$a электронно-лучевое испарение
|
| 610 |
0 |
# |
$a электронна-прамяневае выпарэнне
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.33
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.13.11
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.13.33
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 47.09.31
$v 6
$2 rugasnti
|
| 686 |
# |
# |
$a 05.27.01
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$a Рогожин
$b А. Е.
$g Александр Евгеньевич
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20100205
$g psbo
|
