Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs для мощных импульсных лазерных диодов, излучающих на длине волны 0,9 мкм: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук: 05.27.03 / Ладугин Максим Анатольевич
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Ладугин, М. А. |
| Опубликовано: | Москва , 2009 |
| Физические характеристики: |
22 с. : ил.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||