|
|
|
|
|
00000cam0a2200000 ia4500 |
| 001 |
BY-NLB-br0000237720 |
| 005 |
20081117111313.0 |
| 100 |
# |
# |
$a 20081105d2008 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 105 |
# |
# |
$a a m 000yy
|
| 109 |
# |
# |
$a ac
$a aa
|
| 200 |
1 |
# |
$a Исследование особенностей процесса газофазной эпитаксии слоев GaN и ALGaN из металлорганических соединений и оптимизации роста на подложках сапфира и SiC для приборных применений
$e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
$e 01.04.10
$f Заварин Евгений Евгеньевич
$g Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
|
| 210 |
# |
# |
$a Санкт-Петербург
$d 2008
|
| 215 |
# |
# |
$a 20 с.
$c ил.
|
| 320 |
# |
# |
$a Библиография: с. 18―20 (20 назв.)
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24594
$a ПОЛУПРОВОДНИКИ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar56130
$a НИТРИДЫ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar39622
$a ЭПИТАКСИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar83769
$a ГАЗОФАЗНОЕ ОСАЖДЕНИЕ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar77311
$a МЕТАЛЛООРГАНИЧЕСКИЕ СОЕДИНЕНИЯ
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar24113
$a ПОДЛОЖКИ (электроника)
$2 DVNLB
|
| 606 |
0 |
# |
$3 BY-NLB-ar28578
$a РОСТ КРИСТАЛЛОВ
$2 DVNLB
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.31
$2 rugasnti
$v 5
|
| 686 |
# |
# |
$a 29.19.16
$2 rugasnti
$v 5
|
| 686 |
# |
# |
$a 01.04.10
$2 oksvnk
|
| 700 |
# |
1 |
$a Заварин
$b Е. Е.
$g Евгений Евгеньевич
|
| 801 |
# |
0 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20081105
$g psbo
|
