Особенности излучательной рекомбинации в р-n-гетероструктурах InGaN/AlGaN/GaN с множественными квантовыми ямами и светодиодах на их основе: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук: 01.04.10 / Бадгутдинов Мансур Лябибович
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Бадгутдинов, М. Л. |
| Опубликовано: | Москва , 2007 |
| Физические характеристики: |
21 с. : ил.
|
| Язык: | Русский |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||